Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 7 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Růst polovodičových nanovláken použitím dvousložkového katalyzátoru
Musálek, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá růstem germaniových nanodrátů prostřednictvím různých katalytických částic, přičemž je kladen důraz na výrobu katalyzátoru složeného ze dvou prvků (AgGa). V úvodní části jsou zmíněny dva nejběžnější modely růstu a důležitost fázových diagramů pro jejich interpretaci. Poté je demonstrován způsob vytváření katalytických částic a provedeny experimenty zaměřené na růst germaniových nanodrátů z vytvořených struktur. V neposlední řadě je ukázán způsob modifikace povrchu vzorků anizotropním leptáním tak, aby zde bylo umožněno růst nanodráty prostřednictvím různých katalytických částic, popřípadě přímo nanodráty různých materiálů.
Příprava nanostruktur pomocí mokrého chemického leptání
Musálek, Tomáš ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá mokrým anizotropním leptáním křemíku a germania. Ukazuje dva možné přístupy tvorby anizotropních leptů a popisuje pomocné práce nutné k samotnému leptání. Jedná se zejména o přípravu masky elektronovou litografií, odleptání SiO2 resp. GeO2 a nanášení kovových částic.
Kovové nanostruktury s trojrozměrnou topografií pro plazmoniku
Rovenská, Katarína ; Kvapil, Michal (oponent) ; Ligmajer, Filip (vedoucí práce)
Vďaka vysokej koncentrácii voľných elektrónov môže v kovových nanoštruktúrach dochádzať k plazmovej rezonancii. Podobu frekvenčnej závislosti plazmovej rezonancie nanoštruktúr možno meniť viacerými faktormi, čo rozširuje pole ich uplatnenia, dané ich schopnosťou fokusovať svetlo pod difrakčný limit. Predkladaná práca sa zaoberá výrobou zlatých nanoštruktúr pripravených pomocou elektrónovej litografie na kremíkovom substráte. Topografia substrátu je následne upravená technikou mokrého anizotropného leptania. Súčasťou práce je tiež stručný prehľad metód využívaných k výrobe nanoštruktúr s planárnou i trojrozmernou topografiou. Práca ďalej využitím infračervenej spektroskopie analyzuje vplyv veľkosti, tvaru a rozstupu nanoštruktúr ako aj topografie kremíkového substrátu na optickú odozvu pripravených nanoštruktúr. Výsledky predkladanej práce overujú známe trendy spektrálnej závislosti optických charakteristík na spomenutých parametroch v strednej oblasti infračerveného spektra.
Kovové nanostruktury s trojrozměrnou topografií pro plazmoniku
Rovenská, Katarína ; Kvapil, Michal (oponent) ; Ligmajer, Filip (vedoucí práce)
Vďaka vysokej koncentrácii voľných elektrónov môže v kovových nanoštruktúrach dochádzať k plazmovej rezonancii. Podobu frekvenčnej závislosti plazmovej rezonancie nanoštruktúr možno meniť viacerými faktormi, čo rozširuje pole ich uplatnenia, dané ich schopnosťou fokusovať svetlo pod difrakčný limit. Predkladaná práca sa zaoberá výrobou zlatých nanoštruktúr pripravených pomocou elektrónovej litografie na kremíkovom substráte. Topografia substrátu je následne upravená technikou mokrého anizotropného leptania. Súčasťou práce je tiež stručný prehľad metód využívaných k výrobe nanoštruktúr s planárnou i trojrozmernou topografiou. Práca ďalej využitím infračervenej spektroskopie analyzuje vplyv veľkosti, tvaru a rozstupu nanoštruktúr ako aj topografie kremíkového substrátu na optickú odozvu pripravených nanoštruktúr. Výsledky predkladanej práce overujú známe trendy spektrálnej závislosti optických charakteristík na spomenutých parametroch v strednej oblasti infračerveného spektra.
Nanopatterning of Silicon Nitride Membranes
Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Řiháček, Tomáš ; Kolařík, Vladimír ; Chlumská, Jana ; Urbánek, Michal
Membranes are typically created by a thin silicon nitride (SIN) layer deposited on a silicon wafer. Both, top and bottom side of the wafer is covered by a thin layer of the silicon nitride. The principle of silicon nitride membranes preparation is based on the wet anisotropic etching of the bottom side of the silicon wafer with crystallographic orientation (100). While the basic procedure for the preparation of such membranes is well known, the nano patterning of thin membranes presents quite important challenges. This is partially due to the mechanical stress which is typically presented within such membranes. The resolution requirements of the membrane patterning have gradually increased. Advanced lithographic techniques and etching procedures had to be developed. This paper summarizes theoretical aspects, technological issues and achieved results. The application potential of silicon nitride membranes as a base for multifunctional micro system (MMS) is also\ndiscussed.
Růst polovodičových nanovláken použitím dvousložkového katalyzátoru
Musálek, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá růstem germaniových nanodrátů prostřednictvím různých katalytických částic, přičemž je kladen důraz na výrobu katalyzátoru složeného ze dvou prvků (AgGa). V úvodní části jsou zmíněny dva nejběžnější modely růstu a důležitost fázových diagramů pro jejich interpretaci. Poté je demonstrován způsob vytváření katalytických částic a provedeny experimenty zaměřené na růst germaniových nanodrátů z vytvořených struktur. V neposlední řadě je ukázán způsob modifikace povrchu vzorků anizotropním leptáním tak, aby zde bylo umožněno růst nanodráty prostřednictvím různých katalytických částic, popřípadě přímo nanodráty různých materiálů.
Příprava nanostruktur pomocí mokrého chemického leptání
Musálek, Tomáš ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá mokrým anizotropním leptáním křemíku a germania. Ukazuje dva možné přístupy tvorby anizotropních leptů a popisuje pomocné práce nutné k samotnému leptání. Jedná se zejména o přípravu masky elektronovou litografií, odleptání SiO2 resp. GeO2 a nanášení kovových částic.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.